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Samsung hat angekündigt, dass seine 16-GB-GDDR6-Speicherchips in die kommerzielle Produktion gehen. Die Chips wurden Ende letzten Jahres angekündigt und werden voraussichtlich in High-End-Gaming- und Workstation-GPUs eingesetzt, die in diesem Jahr veröffentlicht werden.
Laut Jinman Han, Senior Vice President für Speicherproduktplanung und Anwendungstechnik bei Samsung, hofft das Unternehmen mit den neuen Chips, seine Präsenz zu stärken "In den Spiel- und Grafikkartenmärkten und um dem wachsenden Bedarf an fortschrittlichem Grafikspeicher in Automobil- und Netzwerksystemen gerecht zu werden".
Samsung ist zwar nicht das einzige Unternehmen, das GDDR6-Chips angekündigt hat, aber sein Produkt verspricht schneller zu sein als das seiner Konkurrenten, zu denen auch die südkoreanischen Technologieunternehmen SK Hynix und Micron gehören. Nvidia ist einer der GPU-Hersteller, der voraussichtlich 2018 die neuesten Speicherchips seiner Volta-basierten Grafikkarten der nächsten Generation verwenden wird, um die GDDR5X-Zwischenchips zu ersetzen, die sie als Stop-Gap-Lösung verwendet haben. Es ist jedoch nicht sofort klar, ob AMD HBM2 trotz aller Produktionssorgen weiterhin bevormunden wird oder ob es wie sein Rivale auch auf den GDDR6-Zug springen wird.
Laut Samsung haben die kommenden Chips eine Pin-Geschwindigkeit von 18 Gbit / s und können Datenübertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 72 GB / s (pro Chip) bei nur 1,35 V erreichen. Andererseits liegt der GDDR5-Speicher der aktuellen Generation der GTX 1070 bestenfalls bei etwa 8 Mbit / s, was bedeutet, dass die Chips der nächsten Generation versprechen, die doppelte Bandbreite und höhere Taktraten bei einer ähnlichen oder niedrigeren Spannung zu erzielen.
Einige der anderen neuen Funktionen umfassen eine erhöhte Dichteunterstützung von 16 GB in GDDR5 und GDDR5X auf 32 GB (max.) Und eine erhöhte Geschwindigkeit von 12 Gbit / s auf 16 Gbit / s. Die Chips werden auch ein neues Herstellungsverfahren auf den Tisch bringen, das die 10-Nanometer-Technologie (nm) von Samsung nutzt. Dies ist eine signifikante Verbesserung gegenüber dem 20-Nanometer-Verfahren, das für die GDDR5-Chips verwendet wird.
